深圳遠(yuǎn)見智存科技有限公司近日正式推出其自主研發(fā)的HBM3/3e高帶寬存儲芯片，提供12GB與24GB兩種容量選擇，帶寬性能達(dá)到819GB/s，完全符合JEDEC國際標(biāo)準(zhǔn)。這一成果標(biāo)志著國內(nèi)企業(yè)在高端存儲芯片領(lǐng)域取得重要突破，為緩解AI算力體系中的“內(nèi)存墻”問題提供了新的解決方案。

作為AI算力的核心組件，HBM（高帶寬存儲）通過垂直堆疊DRAM芯片并采用硅通孔（TSV）技術(shù)實(shí)現(xiàn)互連，其帶寬密度和單位面積容量遠(yuǎn)超傳統(tǒng)DDR內(nèi)存。隨著大模型參數(shù)規(guī)模突破萬億級，訓(xùn)練與推理任務(wù)對內(nèi)存帶寬的需求呈指數(shù)級增長，HBM已成為高性能計(jì)算系統(tǒng)的標(biāo)配。據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)YOLE預(yù)測，全球HBM市場規(guī)模將在2026年突破460億美元，2030年接近千億美元，年復(fù)合增長率達(dá)33%。

長期以來，全球HBM市場被SK海力士、三星和美光三家企業(yè)壟斷，占據(jù)超過95%的份額。近年來，中國存儲產(chǎn)業(yè)鏈通過持續(xù)技術(shù)攻關(guān)，在材料、封裝和設(shè)計(jì)等環(huán)節(jié)取得顯著進(jìn)展。遠(yuǎn)見智存此次發(fā)布的產(chǎn)品，采用1024bit超寬數(shù)據(jù)總線設(shè)計(jì)，相比DDR5的64bit接口實(shí)現(xiàn)數(shù)量級躍升。其核心創(chuàng)新包括：通過優(yōu)化電壓域設(shè)計(jì)降低20%功耗，以及采用TSV冗余布局將制造良率提升8%，同等產(chǎn)能下可節(jié)省近10%的晶圓成本。

公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)具備深厚行業(yè)積淀，自2016年起即參與上一代HBM研發(fā)，是目前國內(nèi)最早涉足該領(lǐng)域的工程團(tuán)隊(duì)之一。目前，遠(yuǎn)見智存在國內(nèi)布局多個研發(fā)中心，核心成員來自美光、爾必達(dá)等國際存儲廠商，形成“芯片設(shè)計(jì)+晶圓代工+封裝測試”的全鏈條Fabless模式，供應(yīng)鏈完全實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代。值得注意的是，該公司是少數(shù)掌握從DRAM晶粒到基底芯片完整設(shè)計(jì)鏈路的企業(yè)，持有全部邏輯與存儲模塊的知識產(chǎn)權(quán)。

在應(yīng)用場景拓展方面，遠(yuǎn)見智存的產(chǎn)品已覆蓋AI訓(xùn)練與推理全流程，并開始向車載計(jì)算、邊緣設(shè)備等新興領(lǐng)域滲透。針對汽車電子、移動穿戴和具身智能等場景，公司正在開發(fā)低功耗、高可靠性的定制化方案，預(yù)計(jì)未來三年內(nèi)將推出小容量高帶寬產(chǎn)品矩陣。技術(shù)路線圖顯示，該公司計(jì)劃2027年推出TB級容量的定制化HBM解決方案，2028年實(shí)現(xiàn)單顆芯片帶寬突破2.5TB/s，2029年探索存內(nèi)計(jì)算架構(gòu)，推動“計(jì)算靠近數(shù)據(jù)”的技術(shù)范式變革。