三星電子正加速布局高端AI內(nèi)存市場，其下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品的研發(fā)進程已進入關(guān)鍵階段。據(jù)行業(yè)消息，三星計劃于2026年5月前完成首批符合英偉達標(biāo)準(zhǔn)的HBM4E樣品生產(chǎn)，試圖在激烈的市場競爭中進一步擴大優(yōu)勢。

為實現(xiàn)這一目標(biāo)，三星制定了詳細的時間表。其代工部門被要求在下月中旬前完成HBM4E核心邏輯芯片的樣品制造。這些芯片將與專為HBM4E設(shè)計的DRAM芯片進行封裝，形成首批工程樣品。隨后，樣品需通過內(nèi)部嚴(yán)格的性能測試，確保各項指標(biāo)達標(biāo)后，才會被送往英偉達進行驗證。

在技術(shù)層面，HBM4E延續(xù)了前代HBM4的架構(gòu)設(shè)計，采用1c nm DRAM Die與4nm Base Die的組合。不過，三星對工藝細節(jié)進行了深度優(yōu)化，旨在提升產(chǎn)品的整體性能和可靠性。這種改進不僅體現(xiàn)在芯片制造環(huán)節(jié)，還涉及后續(xù)的封裝測試流程。

三星晶圓代工部門承擔(dān)著核心生產(chǎn)任務(wù)。根據(jù)規(guī)劃，該部門需在5月中旬前完成HBM4E性能樣品Base Die的制造，并交付給存儲器業(yè)務(wù)部門進行3D封裝。這一環(huán)節(jié)對產(chǎn)品的最終性能至關(guān)重要，因此三星在生產(chǎn)過程中采用了多項創(chuàng)新技術(shù)，以確保良率和質(zhì)量達到預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)。