據韓國媒體ETNEWS報道，三星電子晶圓代工業務部門正與材料、組件及設備供應商就重啟8英寸碳化硅（SiC）生產線建設展開深入磋商。相關討論已涉及設備采購規模等具體環節，標志著這一戰略項目進入實質性推進階段。
化合物半導體被三星視為下一代增長引擎。通過將現有8英寸硅基晶圓廠改造為碳化硅/氮化鎵（GaN）混合生產線，該公司既能規避新建廠房的高昂成本，又可提升設備利用率。這種技術轉型策略與當前功率半導體市場需求激增形成共振，特別是在AI算力基礎設施建設的推動下，碳化硅器件在高效能源轉換領域的優勢愈發凸顯。
追溯項目發展脈絡，三星設備解決方案部門自2023年起便啟動碳化硅技術布局，但受存儲芯片市場波動影響，商業化進程曾一度停滯。隨著生成式AI引發的算力革命重塑半導體產業格局，功率半導體市場迎來爆發式增長，促使三星重新激活碳化硅研發管線。據知情人士透露，技術團隊已攻克多項關鍵工藝難題，為規?；a奠定基礎。
根據內部規劃時間表，三星計劃在2027年前完成碳化硅原型生產線建設，通過12個月的試運行優化工藝參數后，將于2028年啟動量產。這條采用8英寸晶圓的生產線將主要面向電動汽車、數據中心等高端市場，與現有6英寸碳化硅產線形成產品梯隊。行業分析師指出，三星的入局可能打破當前碳化硅市場由少數廠商主導的格局，推動第三代半導體材料加速普及。
