近日，長電科技在射頻集成無源器件（IPD）領域取得重要突破，成功完成基于玻璃通孔（TGV）結構與光敏聚酰亞胺（PSPI）再布線（RDL）工藝的晶圓級驗證。通過試制測試結構并進行實測評估，該公司證實了玻璃基底上三維集成無源器件的可制造性，并展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢。這一成果為5G及未來6G通信所需的更寬帶寬射頻前端與系統(tǒng)級封裝優(yōu)化開辟了新的工程化路徑。

在技術實現(xiàn)層面，長電科技以TGV技術構建三維互連骨架，在玻璃基板上集成電感、電容等關鍵無源元件，并將傳統(tǒng)平面電感升級為三維結構。這種設計有效降低了高頻損耗，同時顯著提升了器件品質(zhì)因數(shù)（Q值）。實測數(shù)據(jù)顯示，在相同電感值條件下，三維電感的Q值較平面結構提升近50%，且整體性能優(yōu)于硅基IPD技術路線。這一突破為射頻模組的小型化、高集成度設計提供了切實可行的工程方向。

面對5G向6G演進過程中對射頻系統(tǒng)帶寬、線性度和集成度的持續(xù)升級需求，長電科技依托多年技術積累，已構建起覆蓋射頻功率放大器（PA）、射頻前端（RFFE）模組及毫米波應用的完整封裝測試能力。其技術體系支持系統(tǒng)級封裝（SiP）、天線集成封裝（AiP）等多種形態(tài)，涵蓋共形封裝、分腔設計及選擇性濺射屏蔽等工藝，并具備5G、毫米波、窄帶物聯(lián)網(wǎng)（NB-IoT）及高速信號測試能力。公司還提供射頻系統(tǒng)仿真與封裝協(xié)同設計服務，配套建設了一站式驗證測試平臺，覆蓋射頻微波、毫米波、5G蜂窩及無線通信等領域，可支撐客戶完成從芯片到整機全鏈條的驗證導入。

長電科技副總裁、技術服務事業(yè)部總經(jīng)理吳伯平透露，公司正加速推進玻璃基TGV與PSPI晶圓級IPD技術在射頻系統(tǒng)級封裝中的工程化落地。通過與頭部客戶及產(chǎn)業(yè)鏈伙伴的深度協(xié)同創(chuàng)新，長電科技計劃開展聯(lián)合開發(fā)與驗證工作，推動相關技術向規(guī)模化量產(chǎn)邁進。這一戰(zhàn)略布局旨在為下一代邊緣計算設備和無線連接系統(tǒng)提供更高性能、更高集成度的解決方案，滿足人工智能算力芯片迭代與6G通信前瞻布局的技術需求。