據(jù)韓國媒體綜合報道，三星電子半導體部門正全力推進產(chǎn)能擴張，以應對人工智能技術快速發(fā)展帶來的先進邏輯芯片與存儲芯片需求激增。

在邏輯芯片領域，三星位于美國得克薩斯州泰勒市的2納米晶圓廠已進入關鍵建設階段。該工廠EUV光刻機測試工作全面展開，蝕刻與沉積等核心工藝設備正分批次進場安裝。根據(jù)規(guī)劃，這座投資數(shù)百億美元的先進制程工廠將于今年內(nèi)啟動試生產(chǎn)，預計到2027年實現(xiàn)月產(chǎn)3萬片晶圓的滿負荷運轉。該項目的推進標志著三星在2納米制程競賽中取得重要進展，有望與臺積電形成直接競爭。

存儲芯片業(yè)務方面，三星電子持續(xù)加碼平澤P4晶圓廠集群建設。最新消息顯示，該集群最后兩個生產(chǎn)階段PH2和PH4已獲得大規(guī)模前端設備訂單，將專注于生產(chǎn)支持HBM4至HBM5標準的1c納米DRAM芯片。其中PH4階段設備導入工作將于5-6月啟動，整體進度領先于其他階段；PH2階段潔凈室建設已全面展開，裝機工作定于11月啟動，預計2027年2月完成全部建設。

平澤P4集群現(xiàn)有建設進展順利：PH1階段已完成全部投資，PH3階段設備安裝接近尾聲，預計年內(nèi)可實現(xiàn)每月1.3萬至1.4萬片晶圓的投片量。作為全球最大的半導體生產(chǎn)基地，平澤園區(qū)通過分階段建設模式持續(xù)提升產(chǎn)能，其1c納米DRAM生產(chǎn)線將重點滿足人工智能服務器對高帶寬內(nèi)存的旺盛需求。業(yè)內(nèi)分析指出，三星通過同時推進邏輯芯片與存儲芯片產(chǎn)能建設，正在構建完整的AI芯片供應鏈體系。