在NVIDIA GTC 2026大會(huì)上，三星電子以全面覆蓋AI計(jì)算領(lǐng)域的技術(shù)矩陣成為焦點(diǎn)。作為全球唯一具備內(nèi)存、邏輯芯片、晶圓代工及先進(jìn)封裝全鏈條能力的半導(dǎo)體企業(yè)，三星此次展示了從數(shù)據(jù)中心到個(gè)人設(shè)備的完整AI解決方案體系。

針對(duì)端側(cè)AI應(yīng)用場(chǎng)景，三星推出多款突破性產(chǎn)品。為NVIDIA DGX Spark平臺(tái)定制的PM9E3和PM9E1 NAND閃存方案，通過(guò)優(yōu)化本地AI工作負(fù)載處理能力，顯著提升邊緣計(jì)算效率。在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域，LPDDR5X內(nèi)存以每引腳25Gbps的傳輸速度和15%功耗降低的優(yōu)勢(shì)，成為高端智能手機(jī)、平板及可穿戴設(shè)備的首選方案。其迭代產(chǎn)品LPDDR6更將帶寬提升至30-35Gbps，通過(guò)自適應(yīng)電壓調(diào)節(jié)和動(dòng)態(tài)刷新控制技術(shù)，為下一代端側(cè)AI提供強(qiáng)勁性能支撐。

數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域迎來(lái)第六代HBM4內(nèi)存的量產(chǎn)突破。這款專(zhuān)為NVIDIA Vera Rubin平臺(tái)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)器，以11.7Gbps的穩(wěn)定傳輸速度超越行業(yè)8Gbps標(biāo)準(zhǔn)，并具備向13Gbps升級(jí)的潛力。基于10nm級(jí)第六代DRAM工藝，該產(chǎn)品在良率控制和性能表現(xiàn)上均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。更引人注目的是首次亮相的HBM4E原型，其每引腳16Gbps的傳輸速度和4.0TB/s帶寬，配合混合銅鍵合（HCB）技術(shù)實(shí)現(xiàn)的16層堆疊能力，將熱阻降低20%以上，為AI訓(xùn)練提供前所未有的存儲(chǔ)密度。

三星與NVIDIA的深度合作成果在專(zhuān)屬展區(qū)集中呈現(xiàn)。基于低功耗DRAM設(shè)計(jì)的SOCAMM2服務(wù)器內(nèi)存模塊，憑借高帶寬和靈活集成特性成為業(yè)內(nèi)首個(gè)量產(chǎn)的AI基礎(chǔ)設(shè)施解決方案。采用PCIe 6.0接口的PM1763 SSD，在NVIDIA SCADA編程模型服務(wù)器上演示了其高速數(shù)據(jù)傳輸能力。作為Vera Rubin平臺(tái)參考架構(gòu)的重要組成部分，PM1753 SSD則通過(guò)優(yōu)化推理工作負(fù)載的能效表現(xiàn)，展現(xiàn)出存儲(chǔ)基礎(chǔ)設(shè)施的革新潛力。

雙方在AI工廠(chǎng)建設(shè)領(lǐng)域的合作同樣引人注目。通過(guò)引入NVIDIA加速計(jì)算技術(shù)，三星計(jì)劃將AI工廠(chǎng)規(guī)模擴(kuò)展至新維度，并借助Omniverse庫(kù)推動(dòng)制造數(shù)字孿生技術(shù)在內(nèi)存生產(chǎn)、晶圓代工及先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié)的落地應(yīng)用。這種跨層級(jí)的技術(shù)融合，正在重塑半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)范式。